Биполярные транзисторы (Раздел наполняется)

Показано из строк
ВОССТАНОВИТЬ ТАБЛИЦУ
Обозначение
СРАВНИТЬ
Структура
ЗНАЧЕНИЯ
СКРЫТЬ
Uкб max, B
СКРЫТЬ
Uкэ max, B
СКРЫТЬ
Uэб max, B
СКРЫТЬ
Iк max, A
СКРЫТЬ
h21э
СКРЫТЬ
Uкэ нас, В
СКРЫТЬ
fгр, МГц
СКРЫТЬ
Тэкспл, ⁰С
СКРЫТЬ
Рmax, Вт
СКРЫТЬ
Корпус
ЗНАЧЕНИЯ
СКРЫТЬ
Тип монтажа
ЗНАЧЕНИЯ
СКРЫТЬ
Назначение
ЗНАЧЕНИЯ
СКРЫТЬ
Аналог
СКРЫТЬ
Компл. пара
СКРЫТЬ
Наименование ТУ
СКРЫТЬ
Примечание
СКРЫТЬ
2Т208А
PNP
20
20
20
0.15
20
60
0.3
5
-60
125
0.2
КТ-1 (TO-18)
THT
ВП
BCY93
ЮФ3.365.035
Эпитаксиально-планарный транзистор
2Т208Б
PNP
20
20
20
0.15
40
120
0.3
5
-60
125
0.2
КТ-1 (TO-18)
THT
ВП
BCY93
ЮФ3.365.035
Эпитаксиально-планарный транзистор
2Т208В
PNP
20
20
20
0.15
80
240
0.3
5
-60
125
0.2
КТ-1 (TO-18)
THT
ВП
BCY93
ЮФ3.365.035
Эпитаксиально-планарный транзистор
2Т208Г
PNP
30
30
20
0.15
20
60
0.3
5
-60
125
0.2
КТ-1 (TO-18)
THT
ВП
BCY93
ЮФ3.365.035
Эпитаксиально-планарный транзистор
2Т208Д
PNP
30
30
20
0.15
40
120
0.3
5
-60
125
0.2
КТ-1 (TO-18)
THT
ВП
BCY93
ЮФ3.365.035
Эпитаксиально-планарный транзистор
2Т208Е
PNP
30
30
20
0.15
80
240
0.3
5
-60
125
0.2
КТ-1 (TO-18)
THT
ВП
BCY93
ЮФ3.365.035
Эпитаксиально-планарный транзистор
2Т208Ж
PNP
45
45
20
0.15
20
60
0.3
5
-60
125
0.2
КТ-1 (TO-18)
THT
ВП
BCY93
ЮФ3.365.035
Эпитаксиально-планарный транзистор
2Т208И
PNP
45
45
20
0.15
40
120
0.3
5
-60
125
0.2
КТ-1 (TO-18)
THT
ВП
BCY93
ЮФ3.365.035
Эпитаксиально-планарный транзистор
2Т208К
PNP
45
45
20
0.15
80
240
0.3
5
-60
125
0.2
КТ-1 (TO-18)
THT
ВП
BCY93
ЮФ3.365.035
Эпитаксиально-планарный транзистор
2Т208Л
PNP
60
60
20
0.15
20
60
0.3
5
-60
125
0.2
КТ-1 (TO-18)
THT
ВП
BCY93
ЮФ3.365.035
Эпитаксиально-планарный транзистор
2Т208М
PNP
60
60
20
0.15
40
120
0.3
5
-60
125
0.2
КТ-1 (TO-18)
THT
ВП
BCY93
ЮФ3.365.035
Эпитаксиально-планарный транзистор
2Т208А9
PNP
20
20
20
0.15
20
60
0.3
5
-60
125
2.8
4601.3-1
SMD
ВП
АЕЯР.432140.545
Эпитаксиально-планарный транзистор
2Т208Б9
PNP
20
20
20
0.15
40
120
0.3
5
-60
125
2.8
4601.3-1
SMD
ВП
АЕЯР.432140.545
Эпитаксиально-планарный транзистор
2Т208В9
PNP
20
20
20
0.15
80
240
0.3
5
-60
125
2.8
4601.3-1
SMD
ВП
АЕЯР.432140.545
Эпитаксиально-планарный транзистор
2Т208Г9
PNP
30
30
20
0.15
20
60
0.3
5
-60
125
2.8
4601.3-1
SMD
ВП
АЕЯР.432140.545
Эпитаксиально-планарный транзистор
2Т208Д9
PNP
30
30
20
0.15
40
120
0.3
5
-60
125
2.8
4601.3-1
SMD
ВП
АЕЯР.432140.545
Эпитаксиально-планарный транзистор
2Т208Е9
PNP
30
30
20
0.15
80
240
0.3
5
-60
125
2.8
4601.3-1
SMD
ВП
АЕЯР.432140.545
Эпитаксиально-планарный транзистор
2Т208Ж9
PNP
45
45
20
0.15
20
60
0.3
5
-60
125
2.8
4601.3-1
SMD
ВП
АЕЯР.432140.545
Эпитаксиально-планарный транзистор
2Т208И9
PNP
45
45
20
0.15
40
120
0.3
5
-60
125
2.8
4601.3-1
SMD
ВП
АЕЯР.432140.545
Эпитаксиально-планарный транзистор
2Т208К9
PNP
45
45
20
0.15
80
240
0.3
5
-60
125
2.8
4601.3-1
SMD
ВП
АЕЯР.432140.545
Эпитаксиально-планарный транзистор
2Т208Л9
PNP
60
60
20
0.15
20
60
0.3
5
-60
125
2.8
4601.3-1
SMD
ВП
АЕЯР.432140.545
Эпитаксиально-планарный транзистор
2Т208М9
PNP
60
60
20
0.15
40
120
0.3
5
-60
125
2.8
4601.3-1
SMD
ВП
АЕЯР.432140.545
Эпитаксиально-планарный транзистор
КТ209А
PNP
15
15
10
0.3
20
60
0.4
5
-45
100
0.2
КТ-26 (TO-92)
THT
ОТК
аА0.336.065/03
Эпитаксиально-планарный транзистор
КТ209Б
PNP
15
15
10
0.3
40
120
0.4
5
-45
100
0.2
КТ-26 (TO-92)
THT
ОТК
аА0.336.065/03
Эпитаксиально-планарный транзистор
КТ209Б1
PNP
15
15
5
0.3
12
-
0.4
5
-45
100
0.2
КТ-26 (TO-92)
THT
ОТК
аА0.336.065/03
Эпитаксиально-планарный транзистор
КТ209В
PNP
15
15
10
0.3
80
240
0.4
5
-45
100
0.2
КТ-26 (TO-92)
THT
ОТК
аА0.336.065/03
Эпитаксиально-планарный транзистор
КТ209В1
PNP
15
15
10
0.3
30
-
0.4
5
-45
100
0.2
КТ-26 (TO-92)
THT
ОТК
аА0.336.065/03
Эпитаксиально-планарный транзистор
КТ209Г
PNP
30
30
10
0.3
20
60
0.4
5
-45
100
0.2
КТ-26 (TO-92)
THT
ОТК
аА0.336.065/03
Эпитаксиально-планарный транзистор
КТ209Д
PNP
30
30
10
0.3
40
120
0.4
5
-45
100
0.2
КТ-26 (TO-92)
THT
ОТК
аА0.336.065/03
Эпитаксиально-планарный транзистор
КТ209Е
PNP
30
30
10
0.3
80
240
0.4
5
-45
100
0.2
КТ-26 (TO-92)
THT
ОТК
аА0.336.065/03
Эпитаксиально-планарный транзистор
КТ209Ж
PNP
45
45
20
0.3
20
60
0.4
5
-45
100
0.2
КТ-26 (TO-92)
THT
ОТК
аА0.336.065/03
Эпитаксиально-планарный транзистор
КТ209И
PNP
45
45
20
0.3
40
120
0.4
5
-45
100
0.2
КТ-26 (TO-92)
THT
ОТК
аА0.336.065/03
Эпитаксиально-планарный транзистор
КТ209К
PNP
45
45
20
0.3
80
160
0.4
5
-45
100
0.2
КТ-26 (TO-92)
THT
ОТК
аА0.336.065/03
Эпитаксиально-планарный транзистор
КТ209Л
PNP
60
60
20
0.3
20
60
0.4
5
-45
100
0.2
КТ-26 (TO-92)
THT
ОТК
аА0.336.065/03
Эпитаксиально-планарный транзистор
КТ209М
PNP
60
60
20
0.3
40
120
0.4
5
-45
100
0.2
КТ-26 (TO-92)
THT
ОТК
аА0.336.065/03
Эпитаксиально-планарный транзистор
2Т226А9
NPN
50
50
10
0.1
30
-
0.3
70
-60
125
0.6
КТ-99-1 (4601)
SMD
ВП
АЕЯР.432140.819
Эпитаксиально-планарный транзистор
2Т227А9
PNP
250
250
5
0.05
50
150
0.8
20
-60
125
0.6
КТ-99-1 (4601)
SMD
ВП
АЕЯР.432140.822
Эпитаксиально-планарный транзистор
КТ228А9
PNP
50
45
5
0.5
100
600
0.7
80
-65
150
0.25
КТ-46 (SOT-23)
SMD
ОТК
BC807
КТ229А9
АДКБ.432140.555
Эпитаксиально-планарный транзистор
КТ228Б9
PNP
50
45
5
0.5
100
250
0.7
80
-65
150
0.25
КТ-46 (SOT-23)
SMD
ОТК
BC807-16
КТ229Б9
АДКБ.432140.555
Эпитаксиально-планарный транзистор
КТ228В9
PNP
50
45
5
0.5
160
400
0.7
80
-65
150
0.25
КТ-46 (SOT-23)
SMD
ОТК
BC807-25
КТ229В9
АДКБ.432140.555
Эпитаксиально-планарный транзистор
КТ228Г9
PNP
50
45
5
0.5
250
600
0.7
80
-65
150
0.25
КТ-46 (SOT-23)
SMD
ОТК
BC807-40
КТ229Г9
АДКБ.432140.555
Эпитаксиально-планарный транзистор
КТ229А9
NPN
50
45
5
0.5
100
600
0.7
100
-65
150
0.25
КТ-46 (SOT-23)
SMD
ОТК
BC817
КТ228А9
АДКБ.432140.555
Эпитаксиально-планарный транзистор
КТ229Б9
NPN
50
45
5
0.5
100
250
0.7
100
-65
150
0.25
КТ-46 (SOT-23)
SMD
ОТК
BC817-16
КТ228Б9
АДКБ.432140.555
Эпитаксиально-планарный транзистор
КТ229В9
NPN
50
45
5
0.5
160
400
0.7
100
-65
150
0.25
КТ-46 (SOT-23)
SMD
ОТК
BC817-25
КТ228В9
АДКБ.432140.555
Эпитаксиально-планарный транзистор
КТ229Г9
NPN
50
45
5
0.5
250
600
0.7
100
-65
150
0.25
КТ-46 (SOT-23)
SMD
ОТК
BC817-40
КТ228Г9
АДКБ.432140.555
Эпитаксиально-планарный транзистор
КТ230А9
NPN
65
6
0.1
110
450
0.4
100
-65
150
0.25
КТ-46 (SOT-23)
SMD
ОТК
BC846
КТ233А9
АДКБ.432140.556
Эпитаксиально-планарный транзистор
КТ230Б9
NPN
65
6
0.1
110
220
0.4
100
-65
150
0.25
КТ-46 (SOT-23)
SMD
ОТК
BC846A
КТ233Б9
АДКБ.432140.556
Эпитаксиально-планарный транзистор
КТ230В9
NPN
65
6
0.1
200
450
0.4
100
-65
150
0.25
КТ-46 (SOT-23)
SMD
ОТК
BC846B
КТ233В9
АДКБ.432140.556
Эпитаксиально-планарный транзистор
КТ231А9
NPN
45
6
0.1
110
800
0.4
100
-65
150
0.25
КТ-46 (SOT-23)
SMD
ОТК
BC847
КТ234А9
АДКБ.432140.556
Эпитаксиально-планарный транзистор
КТ231Б9
NPN
45
6
0.1
110
220
0.4
100
-65
150
0.25
КТ-46 (SOT-23)
SMD
ОТК
BC847A
КТ234Б9
АДКБ.432140.556
Эпитаксиально-планарный транзистор
50
82
  • 1
  • 2