Биполярные транзисторы (Раздел наполняется)

Показано из строк
ВОССТАНОВИТЬ ТАБЛИЦУ
Обозначение
СРАВНИТЬ
Назначение
ЗНАЧЕНИЯ
СКРЫТЬ
Структура
ЗНАЧЕНИЯ
СКРЫТЬ
Uкэ max, B
СКРЫТЬ
Iк max, A
СКРЫТЬ
h21э
СКРЫТЬ
Uкэ нас, В
СКРЫТЬ
fгр, МГц
СКРЫТЬ
Тэкспл, ⁰С
СКРЫТЬ
Рmax, Вт
СКРЫТЬ
Корпус
ЗНАЧЕНИЯ
СКРЫТЬ
Монтаж
ЗНАЧЕНИЯ
СКРЫТЬ
Аналог
СКРЫТЬ
Компл. пара
СКРЫТЬ
Примечание
СКРЫТЬ
2Т208А
ВП
PNP
20
0.15
20
60
0.3
5
-60
125
0.2
КТ-1 (TO-18)
THT
BCY93
Эпитаксиально-планарный транзистор
2Т208Б
ВП
PNP
20
0.15
40
120
0.3
5
-60
125
0.2
КТ-1 (TO-18)
THT
BCY93
Эпитаксиально-планарный транзистор
2Т208В
ВП
PNP
20
0.15
80
240
0.3
5
-60
125
0.2
КТ-1 (TO-18)
THT
BCY93
Эпитаксиально-планарный транзистор
2Т208Г
ВП
PNP
30
0.15
20
60
0.3
5
-60
125
0.2
КТ-1 (TO-18)
THT
BCY93
Эпитаксиально-планарный транзистор
2Т208Д
ВП
PNP
30
0.15
40
120
0.3
5
-60
125
0.2
КТ-1 (TO-18)
THT
BCY93
Эпитаксиально-планарный транзистор
2Т208Е
ВП
PNP
30
0.15
80
240
0.3
5
-60
125
0.2
КТ-1 (TO-18)
THT
BCY93
Эпитаксиально-планарный транзистор
2Т208Ж
ВП
PNP
45
0.15
20
60
0.3
5
-60
125
0.2
КТ-1 (TO-18)
THT
BCY93
Эпитаксиально-планарный транзистор
2Т208И
ВП
PNP
45
0.15
40
120
0.3
5
-60
125
0.2
КТ-1 (TO-18)
THT
BCY93
Эпитаксиально-планарный транзистор
2Т208К
ВП
PNP
45
0.15
80
240
0.3
5
-60
125
0.2
КТ-1 (TO-18)
THT
BCY93
Эпитаксиально-планарный транзистор
2Т208Л
ВП
PNP
60
0.15
20
60
0.3
5
-60
125
0.2
КТ-1 (TO-18)
THT
BCY93
Эпитаксиально-планарный транзистор
2Т208М
ВП
PNP
60
0.15
40
120
0.3
5
-60
125
0.2
КТ-1 (TO-18)
THT
BCY93
Эпитаксиально-планарный транзистор
2Т208А9
ВП
PNP
20
0.15
20
60
0.3
5
-60
125
2.8
4601.3-1
SMD
Эпитаксиально-планарный транзистор
2Т208Б9
ВП
PNP
20
0.15
40
120
0.3
5
-60
125
2.8
4601.3-1
SMD
Эпитаксиально-планарный транзистор
2Т208В9
ВП
PNP
20
0.15
80
240
0.3
5
-60
125
2.8
4601.3-1
SMD
Эпитаксиально-планарный транзистор
2Т208Г9
ВП
PNP
30
0.15
20
60
0.3
5
-60
125
2.8
4601.3-1
SMD
Эпитаксиально-планарный транзистор
2Т208Д9
ВП
PNP
30
0.15
40
120
0.3
5
-60
125
2.8
4601.3-1
SMD
Эпитаксиально-планарный транзистор
2Т208Е9
ВП
PNP
30
0.15
80
240
0.3
5
-60
125
2.8
4601.3-1
SMD
Эпитаксиально-планарный транзистор
2Т208Ж9
ВП
PNP
45
0.15
20
60
0.3
5
-60
125
2.8
4601.3-1
SMD
Эпитаксиально-планарный транзистор
2Т208И9
ВП
PNP
45
0.15
40
120
0.3
5
-60
125
2.8
4601.3-1
SMD
Эпитаксиально-планарный транзистор
2Т208К9
ВП
PNP
45
0.15
80
240
0.3
5
-60
125
2.8
4601.3-1
SMD
Эпитаксиально-планарный транзистор
2Т208Л9
ВП
PNP
60
0.15
20
60
0.3
5
-60
125
2.8
4601.3-1
SMD
Эпитаксиально-планарный транзистор
2Т208М9
ВП
PNP
60
0.15
40
120
0.3
5
-60
125
2.8
4601.3-1
SMD
Эпитаксиально-планарный транзистор
КТ209А
ОТК
PNP
15
0.3
20
60
0.4
5
-45
100
0.2
КТ-26 (TO-92)
THT
Эпитаксиально-планарный транзистор
КТ209Б
ОТК
PNP
15
0.3
40
120
0.4
5
-45
100
0.2
КТ-26 (TO-92)
THT
Эпитаксиально-планарный транзистор
КТ209Б1
ОТК
PNP
15
0.3
12
-
0.4
5
-45
100
0.2
КТ-26 (TO-92)
THT
Эпитаксиально-планарный транзистор
КТ209В
ОТК
PNP
15
0.3
80
240
0.4
5
-45
100
0.2
КТ-26 (TO-92)
THT
Эпитаксиально-планарный транзистор
КТ209В1
ОТК
PNP
15
0.3
30
-
0.4
5
-45
100
0.2
КТ-26 (TO-92)
THT
Эпитаксиально-планарный транзистор
КТ209Г
ОТК
PNP
30
0.3
20
60
0.4
5
-45
100
0.2
КТ-26 (TO-92)
THT
Эпитаксиально-планарный транзистор
КТ209Д
ОТК
PNP
30
0.3
40
120
0.4
5
-45
100
0.2
КТ-26 (TO-92)
THT
Эпитаксиально-планарный транзистор
КТ209Е
ОТК
PNP
30
0.3
80
240
0.4
5
-45
100
0.2
КТ-26 (TO-92)
THT
Эпитаксиально-планарный транзистор
КТ209Ж
ОТК
PNP
45
0.3
20
60
0.4
5
-45
100
0.2
КТ-26 (TO-92)
THT
Эпитаксиально-планарный транзистор
КТ209И
ОТК
PNP
45
0.3
40
120
0.4
5
-45
100
0.2
КТ-26 (TO-92)
THT
Эпитаксиально-планарный транзистор
КТ209К
ОТК
PNP
45
0.3
80
160
0.4
5
-45
100
0.2
КТ-26 (TO-92)
THT
Эпитаксиально-планарный транзистор
КТ209Л
ОТК
PNP
60
0.3
20
60
0.4
5
-45
100
0.2
КТ-26 (TO-92)
THT
Эпитаксиально-планарный транзистор
КТ209М
ОТК
PNP
60
0.3
40
120
0.4
5
-45
100
0.2
КТ-26 (TO-92)
THT
Эпитаксиально-планарный транзистор
КТ222АС
ОТК
NPN
60
0.01
225
200
-45
85
2101.8-1 (DIP-8)
THT
DI4044
2Т233В9
Согласованная пара транзисторов. (hFE1/ hFE2 = 0,8...1,25)
КТ222БС
ОТК
NPN
60
0.01
225
200
-45
85
2101.8-1 (DIP-8)
THT
DI4044
2Т233В9
Согласованная пара транзисторов. (hFE1/ hFE2 = 0,9...1,11)
КТ222ВС
ОТК
NPN
60
0.01
225
200
-45
85
2101.8-1 (DIP-8)
THT
DI4044
2Т233В9
Согласованная пара транзисторов. (hFE1/ hFE2 = 0,95...1,05)
КТ222АС9
ОТК
NPN
60
0.01
225
200
-45
85
4303Ю.8-А (SO-8)
THT
DI4044
2Т233В9
Согласованная пара транзисторов. (hFE1/ hFE2 = 0,8...1,25)
КТ222БС9
ОТК
NPN
60
0.01
225
200
-45
85
4303Ю.8-А (SO-8)
THT
DI4044
2Т233В9
Согласованная пара транзисторов. (hFE1/ hFE2 = 0,9...1,11)
КТ222ВС9
ОТК
NPN
60
0.01
225
200
-45
85
4303Ю.8-А (SO-8)
THT
DI4044
2Т233В9
Согласованная пара транзисторов. (hFE1/ hFE2 = 0,95...1,05)
2Т226А9
ВП
NPN
50
0.1
30
-
0.3
70
-60
125
0.6
КТ-99-1 (4601)
SMD
Эпитаксиально-планарный транзистор
2Т227А9
ВП
PNP
250
0.05
50
150
0.8
20
-60
125
0.6
КТ-99-1 (4601)
SMD
Эпитаксиально-планарный транзистор
2Т228А9
ВП
PNP
45
0.5
100
600
0.7
80
-65
125
0.25
КТ-46 (SOT-23)
SMD
BC807
2Т229А9
Эпитаксиально-планарный транзистор
2Т228Б9
ВП
PNP
45
0.5
100
250
0.7
80
-65
125
0.25
КТ-46 (SOT-23)
SMD
BC807-16
2Т229Б9
Эпитаксиально-планарный транзистор
2Т228В9
ВП
PNP
45
0.5
160
400
0.7
80
-65
125
0.25
КТ-46 (SOT-23)
SMD
BC807-25
2Т229В9
Эпитаксиально-планарный транзистор
2Т228Г9
ВП
PNP
45
0.5
250
600
0.7
80
-65
125
0.25
КТ-46 (SOT-23)
SMD
BC807-40
2Т229Г9
Эпитаксиально-планарный транзистор
2Т229А9
ВП
NPN
45
0.5
100
600
0.7
100
-65
125
0.25
КТ-46 (SOT-23)
SMD
BC817
2Т228А9
Эпитаксиально-планарный транзистор
2Т229Б9
ВП
NPN
45
0.5
100
250
0.7
100
-65
125
0.25
КТ-46 (SOT-23)
SMD
BC817-16
2Т228Б9
Эпитаксиально-планарный транзистор
2Т229В9
ВП
NPN
45
0.5
160
400
0.7
100
-65
125
0.25
КТ-46 (SOT-23)
SMD
BC817-25
2Т228В9
Эпитаксиально-планарный транзистор
50
118
Техподдержка и заказ образцов (ОТК): bc@kremny-m.ru